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第642章 新一代光刻机（第7页）

除了光源之外，工作台和新的光刻技术创新，也是能够提升最小工艺节点和生产效率以及产品良品率。

此时大家对极紫外光刻机没有什么信心，可是陈怀庆却知道，这东西真的能行啊！

所以陈怀庆已经要求墨塔微电研euv光刻机，并且在投入上面，还不小。

先就是在光源技术上面，得要先研究出来大功率的极紫外光源才行。

陈怀庆觉得，肯定没有什么问题的。

他可是记得，米国一直在推激光武器的概念。

然后华国的激光武器都已经可以实战化了，然后米国一下子就哑火了。

自己提出来的概念，怎么华国给先搞了出来？

极紫外光刻机是米国那边提出来的，为了打压霓虹的半导体行业，对于极紫外光刻机的研究，根本就不要霓虹参与进来。

事实上，靠着美欧的能力，整个研究显得很吃力。

那就是mota4oo光刻机。

mota4oo光刻机是墨塔微电的最新之作，大量采购了国外的一些零部件，在一些核心部件上面，mota4oo也是有国产的部件。

相比起mota8oo光刻机相比，mota4oo光刻机在一开始的时候，零部件的国产化率就要高出很多。

像是mota8oo光刻机在刚出的时候，国产化率只有百分之二十几，而到了现在，mota4oo光刻机的国产化率直接是百分之四十起步的。

提升了十几个百分点。

这无疑来讲，是一个相当巨大的进步。

mota4oo光刻机属于第二代光刻机，是mota8oo的升级版产品。

可以实现最小4oonm的工艺节点，当然，通过特殊的工艺制程的话，可以生产更低节点工艺的芯片。

只不过在成本上面，可能会是稍稍贵了那么些。

光刻机最为重要的，就是光源。

现在采用的光源都属于深紫外光。

第一代光刻机采用的波长436nm的g1ine光源，现在的光刻机采用波长365nm的i1ine光源。

下一代光源也已经确定了，是波长248nm的kr光源。

第四代的时候，采用波长193nm的ar光源。

但是，已经有一个新的概念被提了出来，那就是极紫外光刻机。

这可能很多人都不熟悉，换上一个说法：euv光刻机。每一次光源的改进，都是能够显着提升光刻机所能实现的最小工艺节点。

只不过极紫外光刻机这个新概念被提了出来，但是却没有企业往这个上面投钱。

很简单的原因，极紫外光想要作为光源用到光刻上面，技术难度实在有着些过于的高了些。

反正，这属于一个概念性的东西。

市场上面的光刻机，还依旧的能够满足需求，大家对于这极紫外光刻机并不急着要。

实际上，asm1在1999年的时候才开始进行euv光刻机的研工作。

计划是通过五年时间，在2oo4年的时候，就推出euv光刻机产品。

但是到了2o1o年才是搞出第一台euv光刻机原型机，2o16年才是向下游客户正式供货。

凭借着euv光刻机，asm1也是一举成为全球光刻机领域当之无愧的最大巨头。

光源对于光刻机的重要性，实在过于的重要了一些。

陈怀庆也是看过一些报道，说华国在极紫外光源上面是有着突破的。

也不知道具体情况到底如何。

网络上面的新闻，这很多都只是看上一个乐就行。

除了光源之外，工作台和新的光刻技术创新，也是能够提升最小工艺节点和生产效率以及产品良品率。

此时大家对极紫外光刻机没有什么信心，可是陈怀庆却知道，这东西真的能行啊！

所以陈怀庆已经要求墨塔微电研euv光刻机，并且在投入上面，还不小。

先就是在光源技术上面，得要先研究出来大功率的极紫外光源才行。

陈怀庆觉得，肯定没有什么问题的。

他可是记得，米国一直在推激光武器的概念。

然后华国的激光武器都已经可以实战化了，然后米国一下子就哑火了。

自己提出来的概念，怎么华国给先搞了出来？

极紫外光刻机是米国那边提出来的，为了打压霓虹的半导体行业，对于极紫外光刻机的研究，根本就不要霓虹参与进来。

事实上，靠着美欧的能力，整个研究显得很吃力。